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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2011 [1]
1991 [1]
学科主题
半导体材料 [2]
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学科主题:半导体材料
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Effects of ultra-low Al alloying In(Al) As layer on the formation and evolution of InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.94311
作者:
Xu B
;
Zhou GY
;
Ye XL
;
Zhang HY
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浏览/下载:53/5
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提交时间:2011/07/05
SELF-ORGANIZED ISLANDS
MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
SURFACES
EMISSION
DENSITY
SIZE
INVESTIGATION OF GAAS/SI MATERIAL BY X-RAY DOUBLE-CRYSTAL DIFFRACTION
期刊论文
journal of applied physics, 1991, 卷号: 70, 期号: 8, 页码: 4172-4175
LI CR
;
MAI ZH
;
CUI SF
;
ZHOU JM
;
WANG YT
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2010/11/15
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
SOLAR-CELL APPLICATIONS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
SI
HETEROSTRUCTURES
SUPERLATTICES
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