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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2016 [1]
2009 [1]
2008 [2]
1992 [1]
学科主题
半导体物理 [5]
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学科主题:半导体物理
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Helicity-dependent photocurrent induced by the in-plane transverse electric current in an InAs quantum well
期刊论文
scientific reports, 2016, 卷号: 6, 页码: 31189
J. B. Li
;
X. G. Wu
;
G. W. Wang
;
Y. Q. Xu
;
Z. C. Niu
;
X. H. Zhang
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2017/03/16
Lattice polarity detection of InN by circular photogalvanic effect
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 3, 页码: art. no. 031902
Zhang Q
;
Wang XQ
;
He XW
;
Yin CM
;
Xu FJ
;
Shen B
;
Chen YH
;
Wang ZG
;
Ishitani Y
;
Yoshikawa A
收藏
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浏览/下载:64/0
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提交时间:2010/03/08
III-V semiconductors
indium compounds
nondestructive testing
photoconductivity
radiation effects
semiconductor thin films
wide band gap semiconductors
Analytical model of spin filtering effect and its experimental verification in a forward-biased iron-metal-Al2O3-n-type GaAs tunneling structure under optical spin orientation
期刊论文
epl, 2008, 卷号: 82, 期号: 3, 页码: art. no. 37003
Xiao, WB
;
Zheng, HZ
;
Liu, J
;
Li, GR
;
Zhao, JH
收藏
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2010/03/08
INJECTION
TRANSPORT
BARRIER
Circular photogalvanic effect at inter-band excitation in InN
期刊论文
solid state communications, 2008, 卷号: 145, 期号: 4, 页码: 159-162
Zhang, Z
;
Zhang, R
;
Liu, B
;
Xie, ZL
;
Xiu, XQ
;
Han, R
;
Lu, H
;
Zheng, YD
;
Chen, YH
;
Tang, CG
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:67/2
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提交时间:2010/03/08
InN
photogalvanic
inter-band transition
SOME ASPECTS ON INTERFACE MODES AND LO EIGENMODES IN GAAS/ALAS QUANTUM-WELLS
期刊论文
solid state communications, 1992, 卷号: 81, 期号: 9, 页码: 785-788
CHEN CD
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提交时间:2010/11/15
PHONON MODES
SUPERLATTICES
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