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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2008 [1]
2004 [1]
2002 [1]
2001 [1]
1998 [1]
学科主题
半导体物理 [5]
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学科主题:半导体物理
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Nitrogen defects and ferromagnetism in Cr-doped dilute magnetic semiconductor AlN from first principles
期刊论文
physical review b, 2008, 卷号: 78, 期号: 19, 页码: art. no. 195206
Shi LJ
;
Zhu LF
;
Zhao YH
;
Liu BG
收藏
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浏览/下载:217/56
  |  
提交时间:2010/03/08
ab initio calculations
aluminium compounds
annealing
band structure
chromium
Curie temperature
density functional theory
exchange interactions (electron)
ferromagnetic materials
III-V semiconductors
semimagnetic semiconductors
total energy
vacancies (crystal)
Variational calculations of neutral bound excitons in GaAs quantum-well wires
期刊论文
chinese physics letters, 2004, 卷号: 21, 期号: 5, 页码: 919-922
Liu JJ
;
Di B
;
Yang GC
;
Li SS
收藏
  |  
浏览/下载:217/51
  |  
提交时间:2010/03/09
BINDING-ENERGY
Comparative study on the broadening of exciton luminescence linewidth due to phonon in zinc-blende and wurtzite GaN epilayers
期刊论文
applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 23, 页码: 4389-4391
Xu SJ
;
Zheng LX
;
Cheung SH
;
Xie MH
;
Tong SY
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
VAPOR-PHASE EPITAXY
CUBIC GAN
BINDING-ENERGY
PHOTOLUMINESCENCE
PRESSURE
ELECTRON
GAAS
ALN
Variational calculations of ionized-donor-bound excitons in GaAs-AlxGa1-xAs quantum wells
期刊论文
european physical journal b, 2001, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 17-20
Liu JJ
;
Zhang SF
;
Li YX
;
Kong XJ
收藏
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/08/12
BINDING-ENERGY
2-DIMENSIONAL SEMICONDUCTORS
NEUTRAL DONORS
BIEXCITONS
PHOTOLUMINESCENCE
IMPURITY
Quantum-confined Stark effects of exciton states in V-shaped GaAs/AlxGa1-xAs quantum wires
期刊论文
physical review b, 1998, 卷号: 58, 期号: 4, 页码: 2031-2037
Chang K
;
Xia JB
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/08/12
WELL WIRES
DIMENSIONAL EXCITONS
OPTICAL-PROPERTIES
THRESHOLD CURRENT
ELECTRIC-FIELD
BINDING-ENERGY
DEPENDENCE
ABSORPTION
SPECTRA
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