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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Microwave Study of FeSe(0.3)Te(0.7) Thin Film by TE(011)-Mode Sapphire Dielectric Resonator 期刊论文 ieee transactions on applied superconductivity, 2011, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 599-601 Wu, Y; Zhou, SY; Wang, XY; Cao, LX; Zhang, XQ; Luo, S; He, YS; Barannik, AA; Cherpak, NT; Skresanov, VN 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/02/06 Cavity resonator  microwave measurement  multi-gap  node   Microwave Study of FeSe0.3Te0.7 Thin Film by TE011-Mode Sapphire Dielectric Resonator 期刊论文 ieee transactions on applied superconductivity, 2011, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 599-601 作者:  Wang XY 收藏  |  浏览/下载：58/4  |  提交时间：2011/07/15 Cavity resonator  microwave measurement  multi-gap  node   Influences of reactor pressure of gan buffer layers on morphological evolution of gan grown by mocvd 期刊论文 Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 248-253 作者:  Chen, J;  Zhang, SM;  Zhang, BS;  Zhu, JJ;  Shen, XM 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 In situ laser reflectometry  Lateral overgrowths  Surface morphology  Metalorganic chemical vapor deposition  Gan   Influences of reactor pressure of GaN buffer layers on morphological evolution of GaN grown by MOCVD 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 248-253 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：292/3  |  提交时间：2010/08/12 in situ laser reflectometry  lateral overgrowths  surface morphology  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  LIGHT-EMITTING-DIODES  SAPPHIRE SUBSTRATE  NUCLEATION LAYERS  QUALITY  TEMPERATURE