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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Properties of proton-implanted p-type Si: supports for the models explaining a novel p-n junction in Si 期刊论文 nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 2000, 卷号: 160, 期号: 1, 页码: 190-193 Li JM; Gao M; Duan XF; Wang FL 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 silicon  ion implantation  electrical properties of semiconductors  defect  ION-IMPLANTATION  SILICON   RBS STUDIES OF THE LATTICE DAMAGE CAUSED BY 1 MEV SI+ IMPLANTATION INTO AL0.3GA0.7AS/GAAS SUPERLATTICES AT ELEVATED-TEMPERATURE 期刊论文 nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 1994, 卷号: 90, 期号: 0, 页码: 392-395 XU TB; ZHU PR; ZHOU JS; LI DQ; GONG B; WAN Y; MU SM; ZHAO QT; WANG ZL 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/15 ION-IMPLANTATION  AMORPHIZATION