QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Ultrafast Kerr rotations and zero-field dephasing time of electron spins in InAs/GaAs quantum disks 期刊论文 physics letters a, 2010, 卷号: 374, 期号: 47, 页码: 4793-4796 Ning JQ (Ning J. Q.); Xu SJ (Xu S. J.); Wei ZF (Wei Z. F.); Ruan XZ (Ruan X. Z.); Ji Y (Ji Yang); Zheng HZ (Zheng H. Z.); Liu HC (Liu H. C.) 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/12/05 Optical Kerr effect  Electron spin  Quantum disks  InAs/GaAs  REFRACTIVE-INDEX  COHERENCE  GAAS  SEMICONDUCTORS   Enhanced infrared emission from colloidal HgTe nanocrystal quantum dots on silicon-on-insulator photonic crystals 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 5, 页码: art. no. 053107 作者:  Tan PH;  Liu J 收藏  |  浏览/下载：61/1  |  提交时间：2010/03/08 colloidal crystals  II-VI semiconductors  infrared spectra  mercury compounds  nanostructured materials  photoluminescence  photonic crystals  semiconductor quantum dots  silicon-on-insulator   Theoretical analysis of characteristics of GaxIn1-xNyAs1-y/GaAs quantum well lasers with different intermediate layers 期刊论文 chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 8, 页码: 1261-1263 作者:  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/08/12 GAINNAS  LUMINESCENCE  DIODES  ALLOYS   Effect of different type intermediate layers on band structure and gain of Ga1-xInxNyAs1-y-GaAs quantum well lasers 期刊论文 ieee photonics technology letters, 2003, 卷号: 15, 期号: 10, 页码: 1336-1338 作者:  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：395/1  |  提交时间：2010/08/12 band structure  differential gain  GaInNAs  optical gain  strain compensated  strain mediated  STRAIN  TEMPERATURE  DIODES  ALLOYS  OFFSET