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科研机构
半导体研究所 [10]
内容类型
期刊论文 [8]
会议论文 [2]
发表日期
2010 [1]
2009 [1]
2008 [4]
2007 [2]
2004 [1]
1997 [1]
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学科主题
半导体材料 [10]
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学科主题:半导体材料
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Substrate temperature dependence of ZnTe epilayers grown on GaAs(001) by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2010, 卷号: 312, 期号: 9, 页码: 1491-1495
Zhao J (Zhao Jie)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Liu C (Liu Chao)
;
Li YB (Li Yanbo)
收藏
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浏览/下载:148/33
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提交时间:2010/06/04
Reflection high-energy electron diffraction
Atomic force microscopy
Molecular beam epitaxy
Zinc compounds
Semiconducting II-VI materials
An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application
期刊论文
solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335
作者:
Zhang ML
;
Hou QF
收藏
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浏览/下载:129/30
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提交时间:2010/03/08
AlGaN/AlN/GaN
HEMT
MOCVD
SiC substrate
Power device
Growth and fabrication of AlGaN/GaN HEMT based on Si(111) substrates by MOCVD
期刊论文
microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 9, 页码: 1108-1111
Luo, WJ
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Guo, LC
;
Li, JP
;
Liu, HX
;
Chen, YL
;
Yang, FH
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/03/08
AlGaN/GaN
high electron mobility transistor (HEMT)
Si (111)
The influence of low-temperature Ge seed layer on growth of high-quality Ge epilayer on Si(100) by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 10, 页码: 2508-2513
Zhou ZW
;
Li C
;
Lai HK
;
Chen SY
;
Yu JZ
收藏
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浏览/下载:53/12
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提交时间:2010/03/08
characterization
AlGaN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs structure with an AlN interlayer grown by MOCVD
会议论文
34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007
Tang, J
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Ran, JX
;
Wang, CM
;
Wang, XY
;
Hu, GX
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/03/09
PERFORMANCE
HETEROSTRUCTURES
OPTIMIZATION
MOBILITY
AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs with improved mobility grown by MOCVD
会议论文
9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008
作者:
Hou QF
;
Zhang ML
收藏
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/03/09
ALGAN/GAN HEMTS
Growth of a novel periodic structure of SiC/AlN multilayers by low pressure chemical vapour deposition
期刊论文
chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 1753-1755
Zhao YM (Zhao Yong-Mei)
;
Sun GS (Sun Guo-Sheng)
;
Li JY (Li Jia-Ye)
;
Liu XF (Liu Xing-Fang)
;
Wang L (Wang Lei)
;
Zhao WS (Zhao Wan-Shun)
;
Li JM (Li Jin-Min)
收藏
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2010/03/29
SUBSTRATE
Optimization of metamorphic InGaAs quantum wells on GaAs grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 12, 页码: 3543-3546
Wu, BP
;
Wu, DH
;
Ni, HQ
;
Huang, SS
;
Zhan, F
;
Xiong, YH
;
Xu, YQ
;
Niu, ZC
收藏
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浏览/下载:44/1
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提交时间:2010/03/08
LAYERS
SURFACTANT
SUBSTRATE
HEMT
SB
(Ga, Gd, As) film growth on GaAs substrate by low-energy ion-beam deposit
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 3-4, 页码: 451-455
Song SL
;
Chen NF
;
Zhou JP
;
Li YL
;
Chai CL
;
Yang SY
;
Liu ZK
收藏
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浏览/下载:356/46
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提交时间:2010/03/09
auger electron spectroscopy
Lateral periodicity in highly-strained (GaIn)As/Ga(PAs) superlattices investigated by X-ray scattering techniques
期刊论文
nuovo cimento della societa italiana di fisica d-condensed matter atomic molecular and chemical physics fluids plasmas biophysics, 1997, 卷号: 19, 期号: 0, 页码: 377-383
Zhuang Y
;
Giannini C
;
Tapfer L
;
Marschner T
;
Stolz W
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2010/11/17
CORRELATED-INTERFACIAL-ROUGHNESS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
SURFACE-MORPHOLOGY
GROWTH
MULTILAYERS
FILMS
HETEROSTRUCTURES
GAAS(100)
INGAAS
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