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半导体研究所 [189]
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半导体物理 [189]
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共189条，第1-10条
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学科主题：半导体物理
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Bright Single-Photon Source at 1.3 μm Based on InAs Bilayer Quantum Dot in Micropillar
期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2017, 卷号: 12, 期号: 1, 页码: 378
作者:
Ze-Sheng Chen
;
Ben Ma
;
Xiang-Jun Shang
;
Hai-Qiao Ni
;
Jin-Liang Wang
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浏览/下载：19/0
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提交时间：2018/06/15
A deterministic quantum dot micropillar single photon source with >65% extraction efficiency based on fluorescence imaging method
期刊论文
Scientific Reports, 2017, 卷号: 7, 页码: 13986
作者:
Shunfa Liu
;
Yuming Wei
;
Rongling Su
;
Rongbin Su
;
Ben Ma
收藏
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浏览/下载：22/0
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提交时间：2018/06/15
Quantum confinement effects and source-to-drain tunneling in ultra-scaled double-gate silicon n-MOSFETs
期刊论文
chinese physics b, 2012, 卷号: 21, 期号: 2, 页码: 27304
Jiang, XW
;
Li, SS
收藏
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浏览/下载：8/0
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提交时间：2013/03/17
Ferromagnetic nature of (Ga, Cr)As epilayers revealed by magnetic circular dichroism
期刊论文
solid state communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 6, 页码: 456-459
Wu H
;
Gan HD
;
Zheng HZ
;
Lu J
;
Zhu H
;
Ji Y
;
Li GR
;
Zhao JH
收藏
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浏览/下载：63/5
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提交时间：2011/07/05
Magnetic semiconductors
Molecular beam epitaxy
Magneto-optical effects
TRANSPORT-PROPERTIES
SEMICONDUCTOR
(GA,CR)AS
Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge substrate
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: article no.18102
作者:
Li MF
收藏
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浏览/下载：105/7
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提交时间：2011/07/05
molecular beam epitaxy
anti-phase domain
GaAs/Ge interface
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
JUNCTION SOLAR-CELLS
DOMAIN-FREE GROWTH
TEMPERATURE
QUALITY
FUTURE
Photoluminescence of CdSe nanowires grown with and without metal catalyst
期刊论文
nano research, 2011, 卷号: 4, 期号: 4, 页码: 343-359
作者:
Tan PH
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浏览/下载：52/5
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提交时间：2011/07/05
CdSe
nanowires
photoluminescence
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SHAPE-SELECTIVE SYNTHESIS
LIQUID-SOLID MECHANISM
OPTICAL-PROPERTIES
SILICON NANOWIRES
SI NANOWIRES
ZNSE NANOWIRES
SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS
STRUCTURAL-PROPERTIES
EPITAXIAL-GROWTH
Hole mediated magnetism in Mn-doped GaN nanowires
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.74313
作者:
Li JB
收藏
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浏览/下载：61/4
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提交时间：2011/07/05
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ROOM-TEMPERATURE
QUANTUM WIRES
SEMICONDUCTORS
FERROMAGNETISM
FIELD
GAMNN
Single-photon interference based on a single InAs quantum dot
期刊论文
acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 3, 页码: article no.37809
作者:
Chang XY
收藏
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浏览/下载：56/4
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提交时间：2011/07/05
single quantum dot
antibunching effect
Mach-Zehnder interferometer
LIGHT
RESONANCE
First principles study of the electronic properties of twinned SiC nanowires
期刊论文
journal of nanoparticle research, 2011, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 185-191
作者:
Li JB
收藏
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浏览/下载：100/6
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提交时间：2011/07/05
Twinned SiC nanowires
Electronic properties
Ab initio
Modeling and simulation
SILICON-CARBIDE NANOWIRES
FIELD-EMISSION PROPERTIES
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INAS NANOWIRES
GROWTH
NANOTUBES
NITRIDE
DIFFUSION
NANORODS
ENERGY
Quantum mechanical simulation of electronic transport in nanostructured devices by efficient self-consistent pseudopotential calculation
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 5, 页码: article no.54503
作者:
Jiang XW
收藏
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浏览/下载：50/2
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提交时间：2011/07/05
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
SEMICONDUCTOR-DEVICES
SILICON DEVICES
MONTE-CARLO
MOSFETS
NANOTRANSISTORS
APPROXIMATION
EQUATIONS
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