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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Formation of nano-twinned structure in Ti3AlC2 induced by ion-irradiation 期刊论文 ACTA MATERIALIA, 2017 Yang, Tengfei; Wang, Chenxu; Liu, Wulong; Liu, Shaoshuai; Xiao, Jingren; Huang, Qing; Xue, Jianming; Yan, Sha; Wang, Yugang 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2017/12/03 MAX phases  Irradiation damage  Nano Structure  Structural transformation  ORDER-DISORDER TRANSITION  AL-C SYSTEM  INDUCED AMORPHIZATION  THIN-FILMS  MATERIALS CHALLENGES  M(N+1)AX(N) PHASES  NUCLEAR-ENERGY  TI3SIC2  STABILITY  CARBIDES   Pressure-induced phase transition and dissociation of PbMoO4 期刊论文 PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 2015 Huang, Shengxuan; Lai, Xiaojing; Zhu, Feng; Wu, Xiang; Yang, Ke; Qin, Shan 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03 dissociation  PbMoO4  pressure-induced phase transition  X-ray diffraction  X-RAY-DIFFRACTION  EU BINARY OXIDES  CRYSTAL STABILITY  SCHEELITE AWO(4)  PBWO4 CRYSTAL  CAWO4  SCINTILLATORS  RAMAN  TRANSFORMATIONS  PERFORMANCE   A new damage model for ion implantation simulation with molecular dynamics method 其他 2004-01-01 Wang, R; Yu, M; Zhan, K; Shi, XK; Ji, HH; Zhang, JY; Oka, H 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13 ion implantation  simulation  damage model  amorphous pockets  amorphization  SILICON  MORPHOLOGY   Defects in ion implantation and annealing studied by atomistic model 其他 2004-01-01 Yu, M; Wang, R; Ji, HH; Shi, XK; Zhan, K; Wang, YY; Zhang, JY; Oka, H 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/13 simulation  implantation  annealing  shallow junction  SILICON  SIMULATION   Defects in ion implantation and annealing studied by atomistic model 其他 2004-01-01 Yu, Min; Wang, Rong; Ji, Huihui; Shi, Xiaokang; Zhan, Kai; Wang, Yangyuan; Zhang, Jinyu; Oka, Hideki 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13