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Electrical transport properties of the si-doped cubic boron nitride thin films prepared by in situ cosputtering 期刊论文
Journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 2, 页码: 5
作者:  Ying, J.;  Zhang, X. W.;  Yin, Z. G.;  Tan, H. R.;  Zhang, S. G.
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