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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2011 [3]
学科主题
光电子学 [3]
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Growth of high quality Ge epitaxial films on Si substrate by low temperature buffer technique
期刊论文
guangdianzi jiguang/journal of optoelectronics laser, 2011, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 1030-1033
Zhou, Zhi-Wen
;
He, Jing-Kai
;
Li, Cheng
;
Yu, Jin-Zhong
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提交时间:2012/06/13
Atomic force microscopy
Atomic spectroscopy
Chemical vapor deposition
Diffraction
Epitaxial growth
Germanium
Raman spectroscopy
Semiconducting silicon compounds
Substrates
Surface morphology
Ultrahigh vacuum
X ray diffraction
Epitaxial growth and thermal stability of Ge1-xSnx alloys on Ge-buffered Si(001) substrates
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 317, 期号: 1, 页码: 43-46
Su SJ
;
Wang W
;
Cheng BW
;
Zhang GZ
;
Hu WX
;
Xue CL
;
Zuo YH
;
Wang QM
收藏
  |  
浏览/下载:71/4
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提交时间:2011/07/05
Thermal stability
Molecular beam epitaxy
Germanium tin alloys
Germanium
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
LOW-TEMPERATURE
SEMICONDUCTORS
GE(001)2X1
Epitaxial growth of Ge0.975Sn0.025 alloy films on Si(001) substrates by molecular beam epitaxy
期刊论文
acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: article no.28101
Su SJ
;
Wang W
;
Zhang GZ
;
Hu WX
;
Bai AQ
;
Xue CL
;
Zuo YH
;
Cheng BW
;
Wang QM
收藏
  |  
浏览/下载:55/3
  |  
提交时间:2011/07/05
GeSn
Ge
molecular beam epitaxy
epitaxial growth
SEMICONDUCTORS
GE(001)2X1
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