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科研机构
半导体研究所 [12]
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期刊论文 [12]
发表日期
2016 [1]
2015 [1]
2014 [1]
2013 [1]
2011 [2]
2007 [2]
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学科主题
半导体材料 [12]
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学科主题:半导体材料
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Interface engineering for highly efficient graphene-on-silicon Schottky junction solar cells by introducing a hexagonal boron nitride interlayer
期刊论文
nano energy, 2016, 卷号: 28, 页码: 44-50
Jun-Hua Meng
;
Xin Liu
;
Xing-Wang Zhang
;
Yue Zhang
;
Hao-Lin Wang
;
Zhi-Gang Yin
;
Yong-Zhe Zhang
;
Heng Liu
;
Jing-Bi You
;
Hui Yan
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2017/03/10
High efficiency Schottky junction solar cells by co-doping of graphene with gold nanoparticles and nitric acid
期刊论文
applied physics letters, 2015, 卷号: 106, 期号: 23, 页码: 1-5
X. Liu
;
X.W. Zhang
;
J.H. Meng
;
Z.G. Yin
;
L.Q. Zhang
;
H.L. Wang
;
J.L. Wu
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2016/03/23
Enhanced efficiency of graphene-silicon Schottky junction solar cells by doping with Au nanoparticles
期刊论文
applied physics letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 18, 页码: 183901
Liu, X
;
Zhang, X. W.
;
Yin, Z. G.
;
Meng, J. H.
;
Gao, H. L.
;
Zhang, L. Q.
;
Zhao, Y. J.
;
Wang, H. L.
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2015/03/20
High-performance 4H-SiC junction barrier Schottky diodes with double resistive termination extensions
期刊论文
chinese physics b, 2013, 卷号: 22, 期号: 9, 页码: 7302
Zheng Liu, Zhang Feng, Liu Sheng-Bei, Dong Lin, Liu Xing-Fang, Fan Zhong-Chao, Liu Bin, Yan Guo-Guo, Wang Lei, Zhao Wan-Shun, Sun Guo-Sheng, He Zhi, Yang Fu-Hua
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2014/03/26
Extraction of AlGaN/GaN heterostructure Schottky diode barrier heights from forward current-voltage characteristics
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.74512
Lv YJ
;
Lin ZJ
;
Corrigan TD
;
Zhao JZ
;
Cao ZF
;
Meng LG
;
Luan CB
;
Wang ZG
;
Chen H
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浏览/下载:64/6
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提交时间:2011/07/05
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
GAN
DEPENDENCE
CONTACTS
STATES
NI
Influence of thermal stress on the characteristic parameters of AlGaN/GaN heterostructure Schottky contacts
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: article no.47105
Lu YJ
;
Lin ZJ
;
Zhang Y
;
Meng LG
;
Cao ZF
;
Luan CB
;
Chen H
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:56/2
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提交时间:2011/07/05
AlGaN/GaN heterostructures
thermal stressing
polarization
self-consistently solving Schrodinger's and Poisson's equations
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
POLARIZATION
STABILITY
CHARGE
GAN
Photovoltaic effects in InGaN structures with p-n junctions
期刊论文
physica status solidi a-applications and materials science, 2007, 卷号: 204, 期号: 12, 页码: 4288-4291
Yang, CB
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Ran, JX
;
Wang, CM
;
Hu, GX
;
Wang, XH
;
Zhang, XB
;
Li, MP
;
Li, JM
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浏览/下载:55/3
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提交时间:2010/03/08
FUNDAMENTAL-BAND GAP
IN1-XGAXN ALLOYS
INN
Electron mobility related to scattering caused by the strain variation of AlGaN barrier layer in strained AlGaN/GaN heterostructures
期刊论文
applied physics letters, 2007, 卷号: 91, 期号: 17, 页码: art.no.173507
Zhao J (Zhao, Jianzhi)
;
Lin Z (Lin, Zhaojun)
;
Corrigan TD (Corrigan, Timothy D.)
;
Wang Z (Wang, Zhen)
;
You Z (You, Zhidong)
;
Wang Z (Wang, Zhanguo)
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浏览/下载:60/0
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提交时间:2010/03/29
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
Studies of 6H-SiC devices
期刊论文
current applied physics, 2002, 卷号: 2, 期号: 5, 页码: 393-399
Wang SR
;
Liu ZL
收藏
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浏览/下载:57/0
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提交时间:2010/08/12
SiC
Schottky
pn junction diodes
MOS capacitor
JUNCTION DIODES
Metalorganic chemical vapor deposition of GaNAs alloys using different Ga precursors
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 4, 页码: 516-522
Wei X
;
Wang GH
;
Zhang GZ
;
Zhu XP
;
Ma XY
;
Chen LH
收藏
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浏览/下载:81/2
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提交时间:2010/08/12
high resolution X-ray diffraction
precursor
metalorganic chemical vapor depositions
gallium compounds
LASER-DIODES
SOLAR-CELLS
BAND-GAP
GAINNAS
DIMETHYLHYDRAZINE
GROWTH
PYROLYSIS
EPITAXY
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