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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 内容类型：外文期刊     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Comparative studies of Ge and Si p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors with HfSiON dielectric and TaN metal gate 外文期刊 2010 作者:  Xu, QX;  Hu, AB 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/26 Finite-element study of strain field in strained-Si MOSFET 外文期刊 2009 作者:  Liu, HH;  Xu, QX;  Duan, XF 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/26 Beam Electron-diffraction  Hole Mobility Enhancement  Elastic Relaxation  Layer Superlattices  Effect Transistors  Cmos Performance  Silicon  Specimens  Pmosfets   Study of strained-silicon channel metal-oxide-semiconductor field effect transistors by large angle convergent-beam electron diffraction 外文期刊 2008 作者:  Liu, HH;  Duan, XF;  Xu, QX;  Liu, BG 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/26 Layer Superlattices  Mobility Enhancement  Elastic Relaxation  Specimens  Crystals   Nanoscale strain analysis of strained-Si metal-oxide-semiconductor field effect transistors by large angle convergent-beam electron diffraction 外文期刊 2006 作者:  Liu, HH;  Duan, XF;  Qi, XY;  Xu, QX;  Li, HO 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/26 Mobility Enhancement  Layer Superlattices  Elastic Relaxation  Specimens