QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Nanoinstabilities as revealed by shrinkage of nanocavities in silicon during irradiation 期刊论文 international journal of nanotechnology, 2006, 卷号: 3, 期号: 4 sp.iss.si, 页码: 492-516 Zhu, XF (Zhu, Xianfang); Wang, ZG (Wang, Zhanguo) 收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2010/03/29 nanocavity  nanoparticle  nanoinstabilities  open volume defect  thermodynamic nonequilibrium  nanosize  nanotime  energetic beam irradiation  amorphous structure  nanocurvature  surface energy  WALLED CARBON NANOTUBES  AMORPHOUS-SILICON  ION IRRADIATION  PREFERENTIAL AMORPHIZATION  IN-SITU  INSTABILITY  BEAM  IMPLANTATION  CAVITIES  POINT   Capacitance-voltage characteristic as a trace of the exciton evolvement from spatially direct to indirect in quantum wells 期刊论文 semiconductor science and technology, 2001, 卷号: 16, 期号: 10, 页码: 822-825 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：72/4  |  提交时间：2010/08/12 RESONANT-TUNNELING DIODES  DOTS  HOLES   Competition between band gap and yellow luminescence in undoped GaN grown by MOVPE on sapphire substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 222, 期号: 1-2, 页码: 96-103 Xu HZ; Bell A; Wang ZG; Okada Y; Kawabe M; Harrison I; Foxon CT 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/08/12 gallium nitride  metalorganic vapor-phase epitaxy  photoluminescence  yellow luminescence  N-TYPE GAN  PERSISTENT PHOTOCONDUCTIVITY  THIN-FILMS  DOPED GAN  DEEP LEVELS  ORIGIN  PHOTOLUMINESCENCE  DEPENDENCE  VACANCIES  EPITAXY   Epitaxial lateral overgrowth of cubic GaN by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 225, 期号: 1, 页码: 45-49 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：131/40  |  提交时间：2010/08/12 photoluminescence  SEM  epitaxial lateral overgrowth  metalorganic chemical vapor deposition  cubic GaN  PHASE EPITAXY  SELECTIVE GROWTH  LASER-DIODES  LAYERS