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Effect of In incorporation parameters on the electroluminescence of blue-violet InGaN/GaN multiple quantum wells grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2012, 卷号: 540, 期号: 11, 页码: 46-48
作者:  Hui Yang (杨辉);  S.M. Zhang(张书明)
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/01/22
MOCVD外延生长AlGaAs组份的在线监测 期刊论文
发光学报, 2012, 期号: 09, 页码: 985-990
王鹏程; 徐华伟; 张金龙; 宁永强
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2013/03/11
Al组分AlGaN材料优化生长与组分研究 期刊论文
光电子激光, 2012, 卷号: 23, 期号: 9
作者:  范亚明;  张宝顺
收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2013/01/22
Effects of high-energy electron irradiation on blue luminescence of unintentionally doped GaN heterostructure 期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2012, 卷号: 286, 页码: 138-140
作者:  Fu, X.;  Ma, T.;  Zhang, C.;  Zhang, L.;  Zhang, Z.
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2018/07/05
Effects of high-energy electron irradiation on blue luminescence of unintentionally doped GaN heterostructure 会议论文
作者:  Fu, X.;  Ma, T.;  Zhang, C.;  Zhang, L.;  Zhang, Z.
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2018/08/20
Effects of high-energy electron irradiation on blue luminescence of unintentionally doped GaN heterostructure 会议论文
作者:  Fu, X.;  Ma, T.;  Zhang, C.;  Zhang, L.;  Zhang, Z.
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/08/20
背光PIN光电二极管 专利
专利号: CN202405297U, 申请日期: 2012-08-29, 公开日期: 2012-08-29
作者:  秦龙;  唐琦
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/26
Strain relaxation and optical properties of etched In0.19Ga0.81N nanorod arrays on the GaN template 期刊论文
Chin. Phys. B, 2012, 卷号: 21, 期号: 8
作者:  Wang Jian-Feng (王建峰);  Yang Hui (杨辉)
收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2013/01/16
生长压力对GaN材料光学与电学性能的影响 期刊论文
半导体光电, 2012, 卷号: 33, 期号: 3
作者:  范亚明
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/01/22
一种垂直喷淋式MOCVD反应器 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN 101824606B, 申请日期: 2012-06-06, 公开日期: 2012-09-25
作者:  张永红;  杨辉;  王怀兵;  张宝顺
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/09/25

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