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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 内容类型：外文期刊     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 ZrO2-Based Memory Cell With a Self-Rectifying Effect for Crossbar WORM Memory Application 外文期刊 2010 作者:  Li, YT;  Long, SB;  Zuo, QY;  Shao, LB;  Wang, Q 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/26 Nonvolatile Memory  Diode  Antifuse  Device  Al2o3   Self-rectifying effect in gold nanocrystal-embedded zirconium oxide resistive memory 外文期刊 2009 作者:  Liu, M;  Li, YT;  Zhang, S;  Liu, Q;  Long, SB 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/26 Diodes  Films  Dependence  Resistance  Density  Zro2  Sio2   Organic thin-film transistor memory with gold nanocrystals embedded in polyimide gate dielectric 外文期刊 2008 作者:  Zhen, LJ;  Guan, WH;  Shang, LW;  Liu, M;  Liu, G 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/26 Field-effect Transistors  Device   Study on the dose rate upset effect of partially depleted silicon-on-insulator static random access memory 外文期刊 2008 作者:  Zhao, FZ;  Liu, MX;  Guo, TL;  Liu, G;  Hai, CH 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/26 Transient Radiation Upset  Cmos/sos Ram  Device  Environment   Modeling of retention characteristics for metal and semiconductor nanocrystal memories 外文期刊 2007 作者:  Guan, WH;  Long, SB;  Liu, M;  Liu, Q;  Hu, Y 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/26 Electronic-properties  Tunnel Barrier  Performance  Fabrication  Size   High-performance enhancement-mode pseudomorphic InGaP/InGaAs/GaAs HEMT structures by gas source molecular beam epitaxy 外文期刊 2003 作者:   收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/26 Power