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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 AlGaN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs structure with an AlN interlayer grown by MOCVD 会议论文 34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007 Tang, J; Wang, XL; Xiao, HL; Ran, JX; Wang, CM; Wang, XY; Hu, GX; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/03/09 PERFORMANCE  HETEROSTRUCTURES  OPTIMIZATION  MOBILITY   Strain status in ZnO film on sapphire substrate with a GaN buffer layer grown by metal-source vapor phase epitaxy 期刊论文 microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 1542-1544 Cui JP; Duan Y; Wang XF; Zeng YP 收藏  |  浏览/下载：220/122  |  提交时间：2010/03/08 ZnO film  Strain status  GaN buffer layer  Sapphire  MVPE   Measurement of trace phosphorus in dichlorosilane by high-temperature hydrogen reduction gas chromatography 期刊论文 journal of chromatography a, 1997, 卷号: 757, 期号: 0, 页码: 319-323 Wen RM; Liang JW; Zhou SJ; Zhau ZH 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/17 hydrogen reduction  dichlorosilane  phosphorus