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Charge transfer and optical phonon mixing in few-layer graphene chemically doped with sulfuric acid 期刊论文
physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 24, 页码: article no.245423
作者:  Tan PH
收藏  |  浏览/下载：78/9  |  提交时间：2011/07/05
Distribution of dislocations in GaSb and InSb epilayers grown on GaAs (001) vicinal substrates 期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 9, 页码: art. no. 094903
Li MC; Qiu YX; Liu GJ; Wang YT; Zhang BS; Zhao LC
收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/03/08
Electrically Pumped Room-Temperature Pulsed InGaAsP-Si Hybrid Lasers Based on Metal Bonding 期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: art. no. 064211
作者:  Wang Y;  Pan JQ
收藏  |  浏览/下载：112/0  |  提交时间：2010/03/08
Confinement factor and absorption loss of AlInGaN based laser diodes emitting from ultraviolet to green 期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 2, 页码: art. no. 023104
作者:  Zhu JJ;  Zhang SM;  Jiang DS;  Zhao DG;  Yang H
收藏  |  浏览/下载：191/56  |  提交时间：2010/03/08
Strain Effects on the Optical Polarization Properties of R-Plane Wurtzite GaN 期刊论文
japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 4, 页码: art. no. 041001
作者:  Hao GD
收藏  |  浏览/下载：129/28  |  提交时间：2010/03/08
Growth of thicker zinc-blende CrSb layers by using (In,Ga)As buffer layers 期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 9, 页码: art.no.093902
Deng JJ; Zhao JH; Bi JF; Niu ZC; Yang FH; Wu XG; Zheng HZ
收藏  |  浏览/下载：99/0  |  提交时间：2010/04/11
Recombination property of nitrogen-acceptor-bound states in ZnO 期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 4, 页码: art.no.046101
Yang XD; Xu ZY; Sun Z; Sun BQ; Ding L; Wang FZ; Ye ZZ
收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/04/11
Post-growth and in situ annealing on GaInNAs(Sb) and their application in 1.55 mu m lasers 期刊论文
semiconductor science and technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 279-282
作者:  Xu YQ;  Yang XH
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Stress and its effect on optical properties of GaN epilayers grown on Si(111), 6H-SiC(0001), and c-plane sapphire 期刊论文
applied physics letters, 2003, 卷号: 83, 期号: 4, 页码: 677-679
作者:  Zhao DG
收藏  |  浏览/下载：1038/2  |  提交时间：2010/08/12
Nitrogen vacancy scattering in GaN grown by metal-organic vapor phase epitaxy 期刊论文
solid-state electronics, 2002, 卷号: 46, 期号: 12, 页码: 2069-2074
作者:  Han PD
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