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一种紫外固体激光器 专利
专利号: CN204885817U, 申请日期: 2015-12-16, 公开日期: 2015-12-16
作者:  肖旭辉;  周勇;  崔晓敏
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/24
一种紫外固体激光器 专利
专利号: CN204858265U, 申请日期: 2015-12-09, 公开日期: 2015-12-09
作者:  肖旭辉;  周勇;  崔晓敏
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13
一种多重耦合的单光子发光体及其制作方法 专利
专利号: CN105048284A, 申请日期: 2015-11-11, 公开日期: 2015-11-11
作者:  郑锦坚;  李志明;  邓和清;  寻飞林;  杜伟华
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/31
具有包含InGaN的有源区的半导体结构体、形成此类半导体结构体的方法以及由此类半导体结构体形成的发光器件 专利
专利号: CN105051918A, 申请日期: 2015-11-11, 公开日期: 2015-11-11
作者:  J-P·德布雷;  尚塔尔·艾尔纳;  R·S·克恩
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/18
InGaN/GaN量子阱太阳能电池研究进展 期刊论文
2015
赖萌华; 张保平
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2016/05/17
GaN基半导体光伏电池的制备和特性研究 期刊论文
2015
蔡晓梅; 张江勇; 吕雪芹; 应磊莹; 张保平
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2016/05/17
Structural damage in InGaN induced by MeV heavy ion irradiation 期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2015, 卷号: 356, 期号: 356, 页码: 53-56
作者:  Zhang, L. M.;  Zhang, C. H.;  Wang, T. S.;  Zhao, J. T.;  Hu, P.
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2015/10/15
Structural damage in InGaN induced by MeV heavy ion irradiation 期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2015, 卷号: 356, 页码: 53-56
作者:  Zhang, LM;  Fadanelli, RC;  Hu, P;  Zhao, JT;  Wang, TS
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2017/01/13
Laser package having multiple emitters configured on a support member 专利
专利号: US20150211724A1, 申请日期: 2015-07-30, 公开日期: 2015-07-30
作者:  GOUTAIN, ERIC;  RARING, JAMES W.;  RUDY, PAUL;  HUANG, HUA
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31
具有非对称Al组分AlGaN限制层的氮化镓基激光器 专利
专利号: CN104734015A, 申请日期: 2015-06-24, 公开日期: 2015-06-24
作者:  陈平;  赵德刚;  朱建军;  刘宗顺;  江德生
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