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一种近红外偏振干涉光谱仪 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN103900694, 申请日期: 2013-12-17, 公开日期: 2014-07-02
谢正茂; 韦明智; 何俊华; 薛艳博; 齐文博
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2014/07/18
GaAs衬底上实现3微米附近发光的量子阱结构及其制备方法 专利
专利号: CN103368073A, 申请日期: 2013-10-23, 公开日期: 2013-10-23
作者:  王庶民;  顾溢;  张永刚;  宋禹忻;  叶虹
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2020/01/18
电泵浦垂直外腔面发射激光器振荡特性的理论分析及实验研究 期刊论文
红外与毫米波学报, 2013, 期号: 04, 页码: 344-350
作者:  张星;  佟存柱;  秦莉
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2014/03/07
Semiconductor light emitting device and fabrication method for semiconductor light emitting device 专利
专利号: US8483252, 申请日期: 2013-07-09, 公开日期: 2013-07-09
作者:  HATORI, NOBUAKI;  YAMAMOTO, TSUYOSHI;  SUDO, HISAO;  ARAKAWA, YASUHIKO
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/26
Molecular beam epitaxy growth of peak wavelength-controlled ingaas/algaas quantum wells for 4.3-μm mid-wavelength infrared detection 期刊论文
Nanoscale research letters, 2013, 卷号: 8, 期号: 1
作者:  Shi,Zhenwu;  Wang,Lu;  Zhen,Honglou;  Wang,Wenxin;  Chen,Hong
收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/05/09
高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2013
作者:  常虎东
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基于硅基赝砷化镓衬底的850nm激光器的制备方法 专利
专利号: CN102570305B, 申请日期: 2013-04-17, 公开日期: 2013-04-17
作者:  周旭亮;  于红艳;  潘教青;  赵玲娟;  王圩
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/26
852nm半导体激光器量子阱设计与外延生长 期刊论文
光学精密工程, 2013, 期号: 03, 页码: 590-597
作者:  曾玉刚;  秦莉;  张星
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2014/03/07
一种非对称波导1060nm半导体激光器结构 专利
专利号: CN102946051A, 申请日期: 2013-02-27, 公开日期: 2013-02-27
作者:  李特;  李再金;  芦鹏;  张月;  郝二娟
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18
Lasers with quantum wells having high indium and low aluminum with barrier layers having high aluminum and low indium with reduced traps 专利
专利号: WO2012125997A3, 申请日期: 2013-01-03, 公开日期: 2013-01-03
作者:  JOHNSON, RALPH, H.;  TATUM, JIMMY, ALAN;  MACINNES, ANDREW, N.;  WADE, JEROME, K.;  GRAHAM, LUKE, A.
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