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半导体研究所 [8]
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专利 [1]
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2014 [1]
2012 [1]
2011 [1]
2009 [2]
2008 [1]
2007 [1]
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学科主题
半导体物理 [8]
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学科主题:半导体物理
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HgTe/CdTe及InAs/GaSb/AlSb低维材料体系的电子态性质
学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2014
庞蜜
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2014/05/28
HgTe/CdTe 量子阱
InAs/GaSb超晶格
InAs/GaSb耦合量子阱
二维拓扑绝缘体
窄禁带半导体
电子态结构
磁光吸收谱
中长波InAs/GaSb II类超晶格材料与红外探测器
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
王国伟
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2012/07/02
2~5μm InAs/GaSb超晶格红外探测器
期刊论文
红外与激光工程, 2011, 卷号: 40, 期号: 8, 页码: 1403-1406
作者:
汤宝
;
徐应强
;
徐应强
;
牛智川
;
王国伟
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/07/17
InAs/GaSb Ⅱ型超晶格的拉曼和光致发光光谱
期刊论文
红外与激光工程, 2009, 卷号: 38, 期号: 2, 页码: 278-281
作者:
牛智川
;
徐应强
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/23
GaAs基短周期InAs/GaSb超晶格红外探测器研究
期刊论文
红外与毫米波学报, 2009, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 165-167
作者:
牛智川
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/23
生长温度对InAs/GaSb超晶格晶体结构和表面形貌的影响
期刊论文
功能材料, 2008, 卷号: 39, 期号: 10, 页码: 1605-1607
作者:
牛智川
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/23
GaAs基GaSb体材料及InAs/GaSb超晶格材料的MBE生长
期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 7, 页码: 1088-1091
作者:
牛智川
;
徐应强
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浏览/下载:64/0
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提交时间:2010/11/23
InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25
蒋洞微
;
向伟
;
王娟
;
邢军亮
;
王国伟
;
徐应强
;
任正伟
;
贺振宏
;
牛智川
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2014/11/24
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