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内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2015 [7]
学科主题
半导体材料 [1]
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发表日期:2015
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Homoepitaxial srtio3(111) film with high dielectric performance and atomically well-defined surface
期刊论文
Scientific reports, 2015, 卷号: 5, 页码: 7
作者:
Liang, Yan
;
Li, Wentao
;
Zhang, Shuyuan
;
Lin, Chaojing
;
Li, Chao
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2019/05/09
Growth of alpha-axis ZnO films on the defective substrate with different O/Zn ratios: A reactive force field based molecular dynamics study
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2015, 卷号: 628, 页码: 317-324
L.
;
Shahzad Liu, M. B.
;
Qi, Y.
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
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提交时间:2015/05/08
Zinc oxide
Non-polar thin films
Atomic scale structure
Point defects
Molecular dynamics simulations
atomic layer deposition
beam epitaxy
thin-films
zinc-oxide
plane
sapphire
homoepitaxial growth
optical-properties
temperature
orientation
nanogenerators
Influence of substrate surface defects on the homoepitaxial growth of GaN (0001) by metalorganic vapor phase epitaxy
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 416, 页码: 7
作者:
Zhou, K(周堃)
;
Liu, JP(刘建平)
;
Ikeda, M
;
Zhang, SM(张书明)
;
Li, DY(李德尧)
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2015/12/31
Surface structure
Metalorganic vapor phase epitaxy
Nitrides
Semiconducting III-V materials
Colossal positive magnetoresistance in surface-passivated oxygen-deficient strontium titanite
期刊论文
SCIENTIFIC REPORTS, 2015, 卷号: 5, 页码: —
作者:
David, A
;
Tian, YF
;
Yang, P
;
Gao, XY
;
Lin, WN
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2015/12/09
2-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS
ROOM-TEMPERATURE
OXIDE HETEROSTRUCTURES
INTERFACE
MOBILITY
SILICON
SRTIO3
Surface Evolution of Nano-Textured 4H-SiC Homoepitaxial Layers after High Temperature Treatments: Morphology Characterization and Graphene Growth
期刊论文
nanomaterials, 2015, 卷号: 5, 期号: 3, 页码: 1532-1543
Xingfang Liu
;
Yu Chen
;
Changzheng Sun
;
Min Guan
;
Yang Zhang
;
Feng Zhang
;
Guosheng Sun
;
Yiping Zeng
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2016/03/29
Preparation and characterization of Sn-doped beta-Ga2O3 homoepitaxial films by MOCVD
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, 2015, 卷号: 50, 期号: 8, 页码: 3252-3257
作者:
Du, Xuejian
;
Li, Zhao
;
Luan, Caina
;
Wang, Weiguang
;
Wang, Mingxian
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/17
4°偏角4H-SiC单晶快速外延生长工艺研究
期刊论文
2015, 页码: 191-193
作者:
毛开礼
;
王英民
;
李斌
;
赵高扬
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/20
同质外延 氯化氢 快速外延 Homoepitaxial HCl Fast growth rate
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