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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 1310 nm GaInNAs triple quantum well laser with 13 GHz modulation bandwidth 期刊论文 electronics letters, 2009, 卷号: 45, 期号: 7, 页码: 356-u23 Zhao H; Haglund A; Westburgh P; Wang SM; Gustavsson JS; Sadeghi M; Larsson A 收藏  |  浏览/下载：83/31  |  提交时间：2010/03/08 THRESHOLD-CURRENT-DENSITY  RANGE   GaAs-based room-temperature continuous-wave 1.59 mu m GaInNAsSb single-quantum-well laser diode grown by molecular-beam epitaxy 期刊论文 applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 23, 页码: art.no.231121 Niu, ZC; Zhang, SY; Ni, HQ; Wu, DH; Zhao, H; Peng, HL; Xu, YQ; Li, SY; He, ZH; Ren, ZW; Han, Q; Yang, XH; Du, Y; Wu, RH 收藏  |  浏览/下载：130/37  |  提交时间：2010/03/17 Studies of high DC current induced degradation in III-V nitride based heterojunctions 期刊论文 ieee transactions on electron devices, 2000, 卷号: 47, 期号: 7, 页码: 1421-1425 Ho WY; Surya C; Tong KY; Lu LW; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12 current stressing  DLTS  flicker noise  heterojunctions  III-V nitride  LOW-FREQUENCY FLUCTUATIONS  RESONANT-TUNNELING DIODES  FLICKER NOISE  GALLIUM NITRIDE  1/F NOISE  DEVICES  TRANSISTORS  QUALITY