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MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers 期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者: Jia CH; Song HP

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The effect of different oriented sapphire substrates on the growth of polar and non-polar ZnMgO by MOCVD 期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 39-42
作者: Song HP; Shi K; Sang L; Wei HY

收藏 | 浏览/下载：58/3 | 提交时间：2011/07/05

Carrier tunneling effects on the temperature dependent photoluminescence of InAs/GaAs quantum dot: Simulation and experiment 期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 8, 页码: article no.83501
作者: Zhou GY; Zhang HY; Xu B; Ye XL

收藏 | 浏览/下载：67/4 | 提交时间：2011/07/05

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Growth of (10(1)over-bar(3)over-bar) semipolar GaN on m-plane sapphire by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文
journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 17, 页码: 4153-4157
作者: Wei TB; Wei XC; Duan RF

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Effect of silver growth temperature on the contacts between Ag and ZnO thin films 期刊论文
science in china series e-technological sciences, 2009, 卷号: 52, 期号: 9, 页码: 2779-2784
作者: Li XK

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Structural and optical properties of ZnO films on SrTiO3 substrates by MOCVD 期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 1, 页码: art. no. 015415
作者: Jia CH

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Epitaxial growth on 4H-SiC by TCS as a silicon precursor 期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 9, 页码: 21-25
作者: Liu Xingfang

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Improvement in crystal quality of ZnO film on Si substrate by using a homo-buffer layer 期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2009, 卷号: 12, 期号: 6, 页码: 233-237
作者: Zhao J

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