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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Enhancement of conductivity and transmittance of ZnO films by post hydrogen plasma treatment 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 8, 页码: art. no. 083713 作者:  Zhang XW;  You JB;  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：70/1  |  提交时间：2010/03/08 annealing  carrier density  carrier mobility  diffusion  electrical conductivity  electrical resistivity  hydrogen  II-VI semiconductors  impurity states  interstitials  light transmission  plasma materials processing  semiconductor thin films  sputter deposition  vacancies (crystal)  visible spectra  wide band gap semiconductors  zinc compounds   Fe-diffusion-induced defects in InP annealed in iron phosphide ambient 期刊论文 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2002, 卷号: 41, 期号: 4a, 页码: 1929-1931 Zhao YW; Dong HW; Jiao JH; Zhao JQ; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：96/7  |  提交时间：2010/08/12 indium phosphide  annealing  semi-insulating  defect  diffusion  ENCAPSULATED CZOCHRALSKI INP  SEMIINSULATING INP  PHOTO-LUMINESCENCE  INDIUM-PHOSPHIDE  UNDOPED INP  PHOTOLUMINESCENCE  CRYSTALS  PRESSURE   Boron diffusion in Ge+ premorphized and BF2+ implanted Si(001) 期刊论文 revista mexicana de fisica, 1998, 卷号: 44, 期号: 0, 页码: 85-88 Zou LF; Acosta-Ortiz SE; Zou LX; Regalado LE; Sun DZ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 diffusion  implantation  Ge ion  BF2 ion  ION-IMPLANTATION  REGROWTH  SILICON  LAYERS  ELECTRICAL-PROPERTIES