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| MOCVD反应器的最佳输运过程及其优化设计 期刊论文
http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=bdtx200806028&dbcode=CJFQ&dbname=CJFQ2008, 2012, 2012
左然; 李晖
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| MOCVD法横向外延过生长GaN薄膜 期刊论文
http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=DZAL200902031&dbname=CJFQ2009, 2012, 2012
彭冬生; 冯玉春; 牛憨笨
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| MOCVD法横向外延过生长GaN薄膜 期刊论文
http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=DZAL200902031&dbname=CJFQ2009, 2012, 2012
彭冬生; 冯玉春; 牛憨笨
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| 薄p型层GaN基p-i-n型紫外探测器的反向漏电特性 期刊论文
http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=BDTG201102004&dbname=CJFQ2011, 2012, 2012
邹翔; 汪莱; 裴晓将; 赵维; 王嘉星; 罗毅
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| MOCVD自催化法在Si(100)衬底上生长InP/InGaAs核壳结构纳米线 期刊论文
发光学报, 2012, 期号: 03, 页码: 294-298
张登巍; 缪国庆
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| 金属有机化学气相沉积生长GaN基发光晶体膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN 101736400 B, 申请日期: 2012-02-29, 公开日期: 2012-09-25
作者: 任国强 ; 张锦平; 曾雄辉; 王建峰; 徐科
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| MOCVD生长中引入光辐照对ZnO纳米柱尺寸的影响 会议论文
第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议, 开封, 2012-11-07
作者: Bin Wu; 伍斌; 史志锋; Zhifeng Shi; Xupu Cai
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2019/12/18
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| 光辅助MOCVD法制备高质量ZnO薄膜 会议论文
第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议, 开封, 2012-11-07
作者: Zhifeng Shi; 史志锋; 伍斌; Bin Wu; Jinxiang Zhang
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2019/12/18
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| 喷淋头高度对InGaN/GaN量子阱生长的影响 会议论文
第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议, 开封, 2012-11-07
作者: Yunjie Ke; 柯昀洁; 梁红伟; Hongwei Liang; Rensheng Shen
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| MOCVD法控制合成Pt/SBA-15催化材料及其催化加氢性能 会议论文
第十六届全国催化学术会议, 沈阳, 2012-10-15
作者: 江曼曼; 张明明; 梁长海
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