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| 制造Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的方法、二极管及其制作方法 专利
专利号: CN101311380B, 申请日期: 2011-10-05, 公开日期: 2011-10-05
作者: 上野昌纪; 斋藤雄
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| GaN薄膜的椭偏光谱研究 期刊论文
2011
余养菁; 张斌恩; 李孔翌; 姜伟; 李书平; 康俊勇
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2012/05/31
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| 蓝宝石图形衬底上GaN低温缓冲层的研究 期刊论文
半导体技术, 2011, 卷号: 36, 期号: 10, 页码: 760-764
作者: 吴猛
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| MOCVD法制备锌锡氧薄膜及其特性研究 学位论文
2011
作者: 张雪
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2019/12/20
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| 镓铟氧化物薄膜和氧化锡薄膜的制备与性质研究 学位论文
2011
作者: 孔令沂
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2019/12/20
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| 外延GaN衬底上ZnO：Ga薄膜的制备及特性研究 学位论文
2011
作者: 喻巧群
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2019/12/20
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| Al_(1-x)InxN的制备及其性质研究 学位论文
2011
作者: 谭永亮
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2019/12/20
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| 金属有机化学气相沉积法制备ZnO和ZnO∶Ni薄膜及其特性分析 期刊论文
高等学校化学学报, 2011, 卷号: 32, 页码: 2717-2720
作者: 王辉; 王瑾; 赵洋; 赵龙; 赵旺
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| 金属有机化学气相沉积选控制备负载型催化新材料 会议论文
第十三届全国青年催化学术会议, 昆明, 2011-07-01
作者: 梁长海
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2019/12/18
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