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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：Engineering (provided by Thomson Reuters)     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 PDSOI CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应的研究 期刊论文 核技术, 2011, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 452-456 作者:  李明;  余学峰;  卢健;  高博;  崔江维 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/11/29 PDSOI  SRAM  总剂量效应  功耗电流  退火效应   p型金属氧化物半导体场效应晶体管低剂量率辐射损伤增强效应模型研究 期刊论文 物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 6, 页码: 812-818 作者:   收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/11/29 p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistor  60Co gamma-ray  total-dose irradiation damage effects  enhanced low dose rate sensitivity   星载DC-DC电源转换器总剂量辐射损伤效应研究 期刊论文 原子能科学技术, 2011, 卷号: 45, 期号: 7, 页码: 888-892 作者:  高博;  余学峰;  任迪远;  李豫东;  李茂顺 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/11/29 DC-DC电源转换器  辐射损伤效应  退火效应   电荷耦合器件的~(60)Coγ射线和电子辐射损伤效应 期刊论文 原子能科学技术, 2010, 卷号: 44, 期号: 1, 页码: 124-128 作者:  李鹏伟;  郭旗;  任迪远;  于跃;  王义元 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/11/29 电荷耦合器件  位移损伤  γ射线  电子辐照   运算放大器不同剂量率的辐射损伤效应 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 1464-1468 作者:  陆妩 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/11/29 运算放大器  60Coγ辐照  退火  剂量率效应   80C31单片机电路总剂量效应研究 期刊论文 微电子学, 2005, 卷号: 35, 期号: 6, 页码: 584-586,590 作者:  匡治兵;  郭旗;  任迪远;  李爱武;  汪东 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/11/29 单片机  60Coγ辐照  辐射损伤  退火