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一种测试薄膜残余应力及其沿层深分布的方法 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2006-06-28, 公开日期: 2006-06-28
孙超, 赵升升, 华伟刚, 宫骏, 杜昊, 王启民 and 李家宝
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半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN1529902A, 申请日期: 2004-09-15, 公开日期: 2004-09-15
作者:  尼古拉·尼古拉耶维奇·列坚佐夫
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具有负弹性常数的组合材料及其制法 专利
专利号: ZLCN00106033.3,
作者:  刘正猷;  沈平;  肖荣福;  温维佳
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