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| 三维半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201510680212.3, 申请日期: 2018-09-18, 公开日期: 2016-02-24
作者: 叶甜春 ; 霍宗亮
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201510514552.9, 申请日期: 2018-05-15, 公开日期: 2016-01-06
作者: 叶甜春
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| 绝缘栅双极型晶体管（IGBT)坚固性研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2018
作者: 杨飞
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2018/09/05 |
| 一种半导体结构及其制造方法 专利
专利号: CN201310282657.7, 申请日期: 2017-05-24, 公开日期: 2015-01-14
作者: 叶甜春; 梁擎擎; 钟汇才; 朱慧珑
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| 绝缘栅双极型晶体管（IGBT)建模及验证方法研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2017
作者: 谭骥
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2017/08/22 |
| 模数转换器 专利
专利号: CN201210050674.3, 申请日期: 2017-02-01, 公开日期: 2013-09-11
作者: 陈大鹏; 梁擎擎; 钟汇才; 朱慧珑; 金智
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2018/04/02 |
| 鳍型场效应晶体管及其制造方法 专利
专利号: CN201310286545.9, 申请日期: 2016-12-28, 公开日期: 2015-01-14
作者: 梁擎擎; 钟汇才; 朱慧珑; 陈大鹏; 叶甜春
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| 纳米光刻中调焦调平测量系统的工艺相关性 期刊论文
光学学报, 2016
作者: 李世光; 叶甜春; 孙裕文
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2017/05/09 |
| 石墨烯器件 专利
专利号: CN201210050646.1, 申请日期: 2016-08-03, 公开日期: 2013-09-11
作者: 梁擎擎; 钟汇才; 朱慧珑; 金智; 刘新宇
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2017/06/13 |
| 超高压绝缘栅双极晶体管（IGBT)关键设计、工艺技术研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2016
作者: 田晓丽
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2017/08/29 |
