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InP基短波红外探测器材料生长和优化设计 学位论文
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2012
王凯
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/04/24
氧化物分子束外延技术及其在关联材料电子态研究中的应用 期刊论文
物理, 2012, 期号: 4, 页码: 211-216
封东来; 沈大伟; 徐海超; 彭瑞
收藏  |  浏览/下载：111/0  |  提交时间：2013/02/22
InP衬底上晶格匹配四元系InAlGaAs的气态源分子束外延生长(英文) 期刊论文
红外与毫米波学报, 2012, 期号: 5, 页码: 385-388+398
王凯; 顾溢; 方祥; 周立; 李成; 李好斯白音; 张永刚
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/02/22
一种四元化合物分子束外延组分控制参数设计的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102226295A, 申请日期: 2011-10-26, 公开日期: 2011-10-26
顾溢; 张永刚; 王凯
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/01/06
晶格匹配体系上裁剪带隙波长提高光电探测器性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102176489A, 申请日期: 2011-09-07, 公开日期: 2011-09-07
张永刚; 顾溢
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/01/06
用分子束外延方法制作光电探测单元或焦平面器件的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130208A, 申请日期: 2011-07-20, 公开日期: 2011-07-20
张永刚; 顾溢
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/01/06
一种包含赝衬底的InP基应变量子阱结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101982905A, 申请日期: 2011-03-02, 公开日期: 2011-03-02
顾溢; 张永刚
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/01/06
用于拓展In0.53Ga0.47As探测器及其阵列短波响应的材料体系及其制备 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101976696A, 申请日期: 2011-02-16, 公开日期: 2011-02-16
顾溢; 张永刚
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/01/06
PbTe中红外光伏探测器 期刊论文
红外与毫米波学报, 2011, 期号: 04
魏晓东; 蔡春峰; 张兵坡; 胡炼; 吴惠桢; 张永刚; 冯靖文; 林加木; 林春; 方维政; 戴宁
收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2012/04/13
用于InP基DHBT制备的GaAs_(0.51)Sb_(0.49)湿法腐蚀研究(英文) 期刊论文
电子器件, 2011, 期号: 01
孙浩; 齐鸣; 艾立鹍; 徐安怀; 滕腾; 朱福英
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/04/13

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