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一种制备GaN:Gd稀磁半导体薄膜材料的方法 专利
专利号: CN105088184A, 申请日期: 2015-11-25, 公开日期: 2015-11-25
作者:  高兴国
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一种制备GaMnN稀磁半导体薄膜材料的方法 专利
专利号: CN105018902A, 申请日期: 2015-11-04, 公开日期: 2015-11-04
作者:  高兴国
收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/12/31
一种GaAs基PHEMT和垂直腔面发射激光器 专利
专利号: CN104752953A, 申请日期: 2015-07-01, 公开日期: 2015-07-01
作者:  王智勇;  高鹏坤;  王青;  郑建华
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