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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位    学科主题：半导体化学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Short-Range Surface Plasmon Polaritons for Extraordinary Low Transmission Through Ultra-Thin Metal Films with Nanopatterns 期刊论文 plasmonics, 2012, 卷号: 7, 期号: 1, 页码: 47-52 Gan, QQ; Bai, WL; Jiang, SH; Gao, YK; Li, WD; Wu, W; Bartoli, FJ 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/03/19 Fabrication and Infrared Optical Properties of Nano Vanadium Dioxide Thin Films 期刊论文 acta physico-chimica sinica, 2009, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 1523-1529 作者:  Li GK;  Liu J 收藏  |  浏览/下载：67/3  |  提交时间：2010/03/08 Dual ion beam sputtering  Nano-vanadium dioxide thin film  Transmission   In0.25Ga0.75As films growth on the thin GaAs/AlAs buffer layer on the GaAs(001) substrate 期刊论文 applied surface science, 2003, 卷号: 217, 期号: 1-4, 页码: 268-274 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 strain  dislocation  interfaces  molecular beam epitaxy  semiconductor III-V materials  CRITICAL THICKNESS  COMPLIANT SUBSTRATE  RELAXATION   Application of the compatibility relationship(1) in seeking a functional relationship among species' equilibrium quantities in complex systems 期刊论文 journal of physical chemistry b, 2000, 卷号: 104, 期号: 40, 页码: 9500-9504 Ren Y 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/08/12 EPITAXIAL LAYERS  SILICON  GAAS   Dielectric relaxation of poled polymer DCNP/PMMA 期刊论文 reactive & functional polymers, 2000, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 177-182 Shi W; Fang CS; Pan QW; Sun X; Gu QT; Xu D; Yu JZ 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 poled polymer  dielectric relaxation  characteristic time  lifetime  nonlinear optical material  TEMPERATURE-DEPENDENCE   The growth of SiC on Si substrates with C2H4 and Si2H6 期刊论文 applied surface science, 1999, 卷号: 148, 期号: 3-4, 页码: 189-195 Wang YS; Li JM; Lin LY; Zhang FF 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/08/12 Si  SiC  epitaxial growth  RHEED  Raman spectrum  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  HETEROEPITAXIAL GROWTH  HYDROCARBON RADICALS  SILICON  SURFACES  FILMS  LAYER  MOLECULAR-BEAM EPITAXY