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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位    内容类型：成果     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 GaP中N和N和Ni对束缚激子压力行为的研究 成果 院科技进步奖: 一等奖, 1986 杨桂林; 王炳森; 赵学恕; 李国华 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/04/13 GaP