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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位    发表日期：2011     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Positively charged manganese acceptor disclosed by photoluminescence spectra in an n-i-p-i-n heterostructure with a mn-doped gaas base 期刊论文 Journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: 5 作者:  Shen, C.;  Wang, L. G.;  Zheng, H. Z.;  Zhu, H.;  Chen, L. 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/05/12 Positively charged manganese acceptor disclosed by photoluminescence spectra in an n-i-p-i-n heterostructure with a Mn-doped GaAs base 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.93507 作者:  Wang LG;  Chen L;  Zhu H 收藏  |  浏览/下载：43/5  |  提交时间：2011/07/05 GALLIUM-ARSENIDE  SEMICONDUCTORS  FIELD