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单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管材料结构 专利
专利号: CN200710178321.0, 申请日期: 2010-11-03, 公开日期: 2009-06-03
作者:  徐静波;  张海英;  叶甜春
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单片集成砷化镓基MHEMT和PIN二极管材料结构 专利
专利号: CN200710178311.7, 申请日期: 2010-02-17, 公开日期: 2009-06-03
作者:  徐静波;  张海英;  叶甜春
收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2010/11/26


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