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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2006 [3]
学科主题
半导体物理 [3]
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学科主题:半导体物理
发表日期:2006
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A bistable, self-latching inverter by the monolithic integration of resonant tunnelling diode and high electron mobility transistor
期刊论文
chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 10, 页码: 2422-2426
Ma L (Ma Long)
;
Huang YL (Huang Ying-Long)
;
Zhang Y (Zhang Yang)
;
Yang FH (Yang Fu-Hua)
;
Wang LC (Wang Liang-Chen)
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提交时间:2010/04/11
resonant tunnelling diode (RTD)
high electron mobility transistor (HEMT)
molecular beam epitaxy (MBE)
bistability
self-latching
Design and fabrication of 1.06 mu m resonant-cavity enhanced reflective modulator with GaInAs/GaAs quantum wells
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 12, 页码: 3376-3379
Yang XH (Yang Xiao-Hong)
;
Han Q (Han Qin)
;
Ni HQ (Ni Hai-Qiao)
;
Huang SS (Huang She-Song)
;
Du Y (Du Yun)
;
Peng HL (Peng Hong-Ling)
;
Xiong YH (Xiong Yong-Hua)
;
Niu ZC (Niu Zhi-Chuan)
;
Wu RH (Wu Rong-Han)
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提交时间:2010/04/11
Electronic structure and binding energy of a hydrogenic impurity in a hierarchically self-assembled GaAs/AlxGa1-xAs quantum dot
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 8, 页码: art.no.083714
Li SS (Li Shu-Shen)
;
Xia JB (Xia Jian-Bai)
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提交时间:2010/04/11
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