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Evidence of defect-annealing effect in swift heavy-ion-irradiated indium phosphide
期刊论文
JOURNAL OF RAMAN SPECTROSCOPY, 2022, 页码: 9
作者:
Hu, Peipei
;
Xu, Lijun
;
Zhai, Pengfei
;
Zeng, Jian
;
Zhang, Shengxia
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提交时间:2022/04/11
defect-annealing
heavy ions
InP
Raman intensity
Theoretical analysis and modelling of degradation for III-V lasers on Si
期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2022, 卷号: 55, 期号: 40, 页码: 9
作者:
J. Z. Liu
;
M. C. Tang
;
H. W. Deng
;
S. Shutts
;
L. F. Wang
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提交时间:2023/06/14
宽禁带半导体物理
期刊论文
科学观察, 2021, 卷号: 16, 期号: 05, 页码: 85-88
作者:
申德振
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提交时间:2022/06/29
宽禁带半导体物理
期刊论文
科学观察, 2021, 卷号: 16, 期号: 05, 页码: 85-88
作者:
申德振
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2022/06/13
On the importance of antimony for temporal evolution of emission from self-assembled (InGa) (AsSb)/GaAs quantum dots on GaP(001)
期刊论文
New Journal of Physics, 2021, 卷号: 23, 期号: 10, 页码: 16
作者:
P. Steindl
;
E. M. Sala
;
B. Alen
;
D. Bimberg and P. Klenovsky
收藏
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提交时间:2022/06/13
Enhanced performance of InAs/GaAs quantum dot superluminescent diodes by direct Si-doping
期刊论文
AIP ADVANCES, 2020, 卷号: 10, 期号: 4, 页码: 045202
作者:
Hong Wang
;
Zun-Ren Lv
;
Zhong-Kai Zhang
;
Yun-Yun Ding
;
Hao-Miao Wang
;
Xiao-Guang Yang
;
Tao Yang
收藏
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2021/11/30
单颗可变色阵列型VCSEL芯片及其制造方法
专利
专利号: CN110190515A, 申请日期: 2019-08-30, 公开日期: 2019-08-30
作者:
窦志珍
;
曹广亮
;
刘留
;
苏小平
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/12/30
一种光电器件半导体激光器芯片的台面用钝化膜
专利
专利号: CN208970927U, 申请日期: 2019-06-11, 公开日期: 2019-06-11
作者:
于志远
;
司智春
;
季安
;
黄永光
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/12/24
Quantum Confined Indium-Rich Cluster Lasers with Polarized Dual-Wavelength Output
期刊论文
Acs Photonics, 2019, 卷号: 6, 期号: 8, 页码: 1990-1995
作者:
Q.N.Yu
;
M.Zheng
;
H.X.Tai
;
W.Lu
;
Y.Shi
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2020/08/24
InGaAs/GaAs,strains,quantum confined lasers,indium-rich clusters,dual wavelengths,polarization,surface-emitting laser,semiconductor-laser,temperature-dependence,segregation,emission,growth,si,Science & Technology - Other Topics,Materials Science,Optics,Physics
Effect of growth temperature of GaAs Sb 1− metamorphic buffer layer on electron mobility of InAs/AlSb heterostructures grown on Si substrate
期刊论文
Chinese Physics B, 2019, 卷号: 28, 期号: 11, 页码: 118102
作者:
Jing Zhang
;
Hong-Liang Lv
;
Hai-Qiao Ni
;
Shi-Zheng Yang
;
Xiao-Ran Cui
;
Zhi-Chuan Niu
;
Yi-Men Zhang and Yu-Ming Zhang
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2020/07/30
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