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半导体研究所 [65]
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Low temperature one-step growth of AlON thin films with homogenous nitrogen doping profile by plasma enhanced atomic layer deposition
期刊论文
ACS Applied Materials & Interfaces, 2017, 卷号: 9, 期号: 44, 页码: 38662-38669
作者:
Hong-Yan Chen
;
Hong-Liang Lu
;
Jin-Xin Chen
;
Feng Zhang
;
Xin-Ming Ji
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2018/06/15
Thermal diffusion of nitrogen into zno film deposited on inn/sapphire substrate by metal organic chemical vapor deposition
期刊论文
Journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 11, 页码: 4
作者:
Shi, K.
;
Zhang, P. F.
;
Wei, H. Y.
;
Jiao, C. M.
;
Jin, P.
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Formation of shallow acceptors in zno doped by lithium with the addition of nitrogen
期刊论文
Journal of physics and chemistry of solids, 2011, 卷号: 72, 期号: 6, 页码: 725-729
作者:
Gai, Yanqin
;
Tang, Gang
;
Li, Jingbo
收藏
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2019/05/12
Semiconductors
Ab initio calculations
Defects
Electronic structure
Growth of 2 mu m crack-free gan on si(111) substrates by metal organic chemical vapor deposition
期刊论文
Chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 4
作者:
Wei Meng
;
Wang Xiao-Liang
;
Xiao Hong-Ling
;
Wang Cui-Mei
;
Pan Xu
收藏
  |  
浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Thermal diffusion of nitrogen into ZnO film deposited on InN/sapphire substrate by metal organic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 11, 页码: 113509
Shi K (Shi K.)
;
Zhang PF (Zhang P. F.)
;
Wei HY (Wei H. Y.)
;
Jiao CM (Jiao C. M.)
;
Jin P (Jin P.)
;
Liu XL (Liu X. L.)
;
Yang SY (Yang S. Y.)
;
Zhu QS (Zhu Q. S.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/02/22
Growth of 2 mu m Crack-Free GaN on Si(111) Substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: article no.48102
作者:
Pan X
;
Hou QF
收藏
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浏览/下载:83/7
  |  
提交时间:2011/07/05
ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS
AL-CONTENT
STRESS-CONTROL
PHASE EPITAXY
ALGAN
BUFFER
LAYERS
HETEROSTRUCTURES
INTERLAYERS
SILICON
Photoluminescence spectroscopy and positron annihilation spectroscopy probe of alloying and annealing effects in nonpolar m-plane ZnMgO thin films
期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 15, 页码: art. no. 151904
作者:
Jin P
;
Wei HY
;
Song HP
收藏
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浏览/下载:185/32
  |  
提交时间:2010/05/04
alloying
annealing
electrical conductivity
excitons
II-VI semiconductors
magnesium compounds
MOCVD coatings
photoluminescence
positron annihilation
semiconductor thin films
vacancies (crystal)
wide band gap semiconductors
zinc compounds
SEMICONDUCTORS
EMISSION
ORIGIN
DIODES
Nitrogen defects and ferromagnetism in Cr-doped dilute magnetic semiconductor AlN from first principles
期刊论文
physical review b, 2008, 卷号: 78, 期号: 19, 页码: art. no. 195206
Shi LJ
;
Zhu LF
;
Zhao YH
;
Liu BG
收藏
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浏览/下载:217/56
  |  
提交时间:2010/03/08
ab initio calculations
aluminium compounds
annealing
band structure
chromium
Curie temperature
density functional theory
exchange interactions (electron)
ferromagnetic materials
III-V semiconductors
semimagnetic semiconductors
total energy
vacancies (crystal)
Growth of SiGe by D-UHV/CVD at Low Temperature
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 10, 页码: 1889-1892
Zeng Yugang
;
Han Genquan
;
Yu Jinzhong
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/23
Doped polycrystalline 3C-SiC films deposited by LPCVD for radio-frequency MEMS applications
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 2269-2272
Zhao, YM
;
Sun, GS
;
Ning, J
;
Liu, XF
;
Zhao, WS
;
Wang, L
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2010/03/08
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
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