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Morphology and carrier mobility of high-B-content BxAl1xN ternary alloys from an ab initio global search 期刊论文
Nanoscale, 2022, 卷号: 14, 期号: 31, 页码: 11335-11342
作者:  Z. Qi;  Z. Shi;  H. Zang;  X. Ma;  Y. Yang
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Giant moire trapping of excitons in twisted hBN 期刊论文
Optics Express, 2022, 卷号: 30, 期号: 7, 页码: 10596-10604
作者:  Y. S. Li;  X. H. Xie;  H. Zeng;  B. H. Li;  Z. Z. Zhang
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Effects of interlayer coupling on the excitons and electronic structures of WS2/hBN/MoS2 van der Waals heterostructures 期刊论文
Nano Research, 2022, 卷号: 15, 期号: 3, 页码: 2674-2681
作者:  X. Zhu;  J. He;  R. Zhang;  C. Cong;  Y. Zheng
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Enhancing thermal properties of few-layer boron nitride by high-k Al2O3 capping layer 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 797, 页码: 262-268
作者:  Y.X.Chen;  K.L.Li;  Z.W.Li;  S.Q.Hu;  X.J.Sun
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Construction of van der Waals substrates for largely mismatched heteroepitaxy systems using first principles 期刊论文
Science China-Physics Mechanics & Astronomy, 2019, 卷号: 62, 期号: 12, 页码: 7
作者:  Z.M.Shi;  X.J.Sun;  Y.P.Jia;  X.K.Liu;  S.L.Zhang
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Two-dimensional multibit optoelectronic memory with broadband spectrum distinction 期刊论文
Nature Communications, 2018, 卷号: 9, 页码: 8
作者:  Xiang, D.;  Liu, T.;  Xu, J. L.;  Tan, J. Y.;  Hu, Z. H.
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Nonvolatile and Programmable Photodoping in MoTe2 for Photoresist-Free Complementary Electronic Devices 期刊论文
Advanced Materials, 2018, 卷号: 30, 期号: 52, 页码: 9
作者:  Liu, T.;  Xiang, D.;  Zheng, Y.;  Wang, Y. A.;  Wang, X. Y.
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Sub-stoichiometric WO2.9 for formaldehyde sensing and treatment: a first-principles study 期刊论文
Journal of Materials Chemistry A, 2016, 卷号: 4, 期号: 37
作者:  Wang, D. D.;  D. X. Han;  L. Liu and L. Niu
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Phonon characteristics and photoluminescence of bamboo structured silicon-doped boron nitride multiwall nanotubes 期刊论文
Applied Physics Letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 1
Xu S. F.; Fan Y.; Luo J. S.; Zhang L. G.; Wang W. Q.; Yao B.; An L. N.
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Synthesis, conductivity and high-pressure phase transition of amorphous boron carbon nitride 期刊论文
Physica B-Condensed Matter, 2007, 卷号: 396, 期号: 1—2, 页码: 214-219
Bai S. Z.; Yao B.; Xing G. Z.; Zhang K.; Su W. H.
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