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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Intrinsically limited critical temperatures of highly doped Ga1-xMnxAs thin films 期刊论文 physical review b, 2010, 卷号: 81, 期号: 23, 页码: art. no. 235201 Khazen K (Khazen Kh.); von Bardeleben HJ (von Bardeleben H. J.); Cantin JL (Cantin J. L.); Mauger A (Mauger A.); Chen L (Chen L.); Zhao JH (Zhao J. H.) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/06/18 AMORPHOUS FERROMAGNET  CURIE-TEMPERATURE  CRITICAL-BEHAVIOR  RENORMALIZATION GROUP  DIPOLAR INTERACTIONS  CRITICAL EXPONENTS  MAGNETIC EQUATION  ALLOYS  STATE  SEMICONDUCTORS   Intersubband absorption energy shifts in 3-level system for asymmetric quantum well terahertz emitters 期刊论文 journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 8, 页码: art. no. 083112 Song YF (Song Yafeng); Lu YW (Lu Yanwu); Zhang BA (Zhang Biao); Xu XQ (Xu Xiaoqing); Wang J (Wang Jun); Guo Y (Guo Yan); Shi K (Shi Kai); Li ZW (Li Zhiwei); Liu XL (Liu Xianglin); Yang SY (Yang Shaoyan); Zhu QS (Zhu Qinsheng); Wang ZG (Wang Zhanguo) 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/12/05 OPTICAL PHONON ENERGY  INVERSION-LAYERS  TRANSITIONS  RELAXATION  LASERS  STATES   Temperature dependent spectral response characteristic of III-V compound tandem cell 期刊论文 chinese science bulletin, 2009, 卷号: 54, 期号: 3, 页码: 353-357 作者:  Wang Y 收藏  |  浏览/下载：411/35  |  提交时间：2010/03/08 spectral response  tandem cell  temperature coefficient   Structural and magnetic properties of insulating Zn1-xCoxO thin films 期刊论文 journal of applied physics, 2004, 卷号: 96, 期号: 9, 页码: 5093-5096 Yin Z; Chen NF; Chai CL; Yang F 收藏  |  浏览/下载：126/24  |  提交时间：2010/03/09 DOPED ZNO FILMS   Influence of crystal perfection on the reverse leakage current of the SiGe Si p-n heterojunction diodes 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 201, 期号: 0, 页码: 551-555 作者:  Liu XF 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/08/12 reverse leakage current  crystalline quality  SiGe Se p-n heterojunction diodes  LAYERS   Influence of crystal perfection on the reverse leakage current of the SiGe Si p-n heterojunction diodes 会议论文 10th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-x), cannes, france, aug 31-sep 04, 1998 Liu XF; Liu JP; Li JP; Wang YT; Li LY; Sun DZ; Kong MY; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/11/15 LAYERS