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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：半导体器件     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Temperature-stimulated abnormal annealing of neutron-induced damage in high-resistivity silicon detectors 期刊论文 nuclear instruments & methods in physics research section a-accelerators spectrometers detectors and associated equipment, 1997, 卷号: 385, 期号: 2, 页码: 321-329 Li Z; Li CJ; Verbitskaya E; Eremin V 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/17 CHARGES N-EFF  RADIATION-DAMAGE  SPECTROSCOPY   Microscopic analysis of defects in a high resistivity silicon detector irradiated to 1.7x10(15)n/cm(2) 期刊论文 ieee transactions on nuclear science, 1996, 卷号: 43, 期号: 3, 页码: 1590-1598 Li Z; Ghislotti G; Kraner HW; Li CJ; Nielsen B; Feick H; Lindstroem G 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/17 RADIATION-DAMAGE  JUNCTION