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Potassium cobalt aluminium mixed phosphate, K(Co-II,Al)(2)(PO4)(2) 期刊论文
ACTA CRYSTALLOGRAPHICA SECTION C-CRYSTAL STRUCTURE COMMUNICATIONS, 1997, 卷号: 53, 页码: 1754-1756
作者:  Chen, XA;  Zhao, L;  Li, Y;  Guo, F;  Chen, BM
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Electronic, structural, and optical properties of crystalline yttria 期刊论文
Physical review b, 1997, 卷号: 56, 期号: 23, 页码: 14993-15000
作者:  Xu, YN;  Gu, ZQ;  Ching, WY
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光半導体素子の製造方法 专利
专利号: JP2725449B2, 申请日期: 1997-12-05, 公开日期: 1998-03-11
作者:  北村 光弘;  佐々木 達也
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/13
Local structural disorder in the organic molecular crystals 期刊论文
Chemical journal of chinese universities-chinese, 1997, 卷号: 18, 期号: 12, 页码: 1978-1981
作者:  Lu, Y;  Wang, SC;  Zheng, QT;  Liu, W;  Li, FH
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/09
化学镀非晶态Ni-P层的初期沉积过程研究 期刊论文
http://electrochem.xmu.edu.cn/CN/abstract/abstract9543.shtml, 1997
迟毅; 张磊; 王毅坚; 马茂元; Chi Yi; Zhang Lei; Wang Yijan; Ma MaoYuan
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2013/11/18
半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利号: JP2723649B2, 申请日期: 1997-11-28, 公开日期: 1998-03-09
作者:  河西 秀典;  山本 修;  近藤 正樹;  佐々木 和明;  松本 晃広
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体レーザ素子 专利
专利号: JP2723921B2, 申请日期: 1997-11-28, 公开日期: 1998-03-09
作者:  田中 俊明;  梶村 俊
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半導体レーザ素子 专利
专利号: JP2721274B2, 申请日期: 1997-11-21, 公开日期: 1998-03-04
作者:  関 章憲;  細羽 弘之;  幡 俊雄;  近藤 雅文;  須山 尚宏
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/13
5,11,17,23-tetra-tert-butyl-26,28-dihydroxy-25,27-bis[2-(p-nitrobenzylideneamino)ethoxy]calix[4]arene 期刊论文
ACTA CRYSTALLOGRAPHICA SECTION C-CRYSTAL STRUCTURE COMMUNICATIONS, 1997, 卷号: 53, 页码: 1644-1647
作者:  Zhang, WC;  Chen, XA;  Zhao, L;  Huang, ZT
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Molecular beam epitaxy growth of iny2al1-y2as/in0.73ga0.27as/iny1al1-y1as/inp p-hemts with enhancement conductivity using an intentional nonlattice-matched buffer layer 期刊论文
Journal of vacuum science & technology b, 1997, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 2021-2025
作者:  Jiang, C;  Xu, B;  Li, HX;  Liu, FQ;  Gong, Q
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