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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：西安光学精密机械研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Aberration correction for improving the image quality in STED microscopy using the genetic algorithm 期刊论文 NANOPHOTONICS, 2018, 卷号: 7, 期号: 12, 页码: 1971-1980 作者:  Wang, Luwei;  Yan, Wei;  Li, Runze;  Weng, Xiaoyu;  Zhang, Jia 收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2018/12/10 Aberration  Adaptive Optics  Genetic Algorithm  Super-resolution Imaging   System and device with laser array illumination 专利 专利号: WO2018045597A1, 申请日期: 2018-03-15, 公开日期: 2018-03-15 作者:  CHENG, SIYANG;  WANG, PEIJIN;  WANG, XIAOYU;  CHENG, QIAN 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/30 基于等离激元增强的光增强/调制电子发射的装置及方法 专利 专利号: CN105390934A, 申请日期: 2016-03-09, 公开日期: 2016-03-09 作者:  王琦龙;  翟雨生;  杜小飞;  齐志央;  李晓华 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18 Material research on the InGaAs-emitting-layer VECSEL grown on GaAs substrate 期刊论文 materials science in semiconductor processing, 2016, 卷号: 42, 页码: 283-287 作者:  Lin, Tao;  Sun, Ruijuan;  Sun, Hang;  Guo, Enmin;  Duan, Yupeng 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2016/01/11 VECSEL  MOVPE  InGaAs   Research on the high indium content InGaAs multiple quantum wells wafers for lambda > 1.55 mu m laser diodes 期刊论文 journal of alloys and compounds, 2015, 卷号: 631, 页码: 283-287 作者:  Lin, Tao;  Sun, Hang;  Zhang, Haoqing;  Wang, Yonggang;  Lin, Nan 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2015/07/15 Laser diode  MOCVD  GaAs  InP   实现高功率高亮度半导体激光器的光束整形装置 专利 专利号: CN103472582A, 申请日期: 2013-12-25, 公开日期: 2013-12-25 作者:  汪晓波;  李江;  鄢雨;  黄哲;  王俊 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31 一种建筑石材或石质文物的激光清洗方法 专利 专利号: CN102500579A, 申请日期: 2012-06-20, 公开日期: 2012-06-20 作者:  叶亚云;  袁晓东;  齐扬;  程晓锋;  王海军 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/31