QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：上海技术物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 碲镉汞液相外延薄膜背面残液的去除方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: 201210142488.2, 申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2015-01-06 1孙瑞贇 2杨建荣 3魏彦锋 4张传杰 5孙权志 6陈倩男 7张娟 8陈晓静 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2015/01/06 碲镉汞液相外延系统生长起始温度的精确控制方法 专利 专利号: 201010565049.3, 申请日期: 2012-01-01, 公开日期: 2013-01-14 作者:  1 张传杰 2 陈晓静 3 魏彦锋 4 杨建荣 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/01/14 非接触式晶片厚度测量装置及方法 专利 专利号: 200910199928.6, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-07-07 作者:  1 陈晓静 2 魏彦锋 3 张传杰 4 徐庆庆 5 孙瑞赟 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2011/07/07 碲镉汞富碲垂直液相外延技术 期刊论文 红外与毫米波学报, 2009, 期号: 5 作者:  杨建荣;  张传杰;  方维政;  魏彦锋;  刘从峰 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2011/07/08 HgCdTe液相外延薄膜表面缺陷的控制 期刊论文 红外与毫米波学报, 2009, 期号: 4 作者:  魏彦锋;  徐庆庆;  陈晓静;  张传杰;  孙士文 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2011/07/08