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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Black Arsenic: A Layered Semiconductor with Extreme In-Plane Anisotropy 期刊论文 Advanced Materials, 2018, 卷号: 30, 期号: 30, 页码: 1800754 作者:  Yabin Chen;   Chaoyu Chen;   Robert Kealhofer;   Huili Liu;   Zhiquan Yuan;   Lili Jiang;  Joonki Suh;   Joonsuk Park;   Changhyun Ko;   Hwan Sung Choe;   José Avila;   Mianzeng Zhong;  Zhongming Wei;   Jingbo Li;   Shushen Li;   Hongjun Gao;   Yunqi Liu;   James Analytis;  Qinglin Xia;   Mari 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/11/12