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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Physical origin of Davydov splitting and resonant Raman spectroscopy of Davydov components in multilayer MoTe2 期刊论文 physical review b, 2016, 卷号: 93, 期号: 11, 页码: 115409 Q. J. Song; Q. H. Tan; X. Zhang; J. B. Wu; B. W. Sheng; Y. Wan; X. Q. Wang; L. Dai; P. H. Tan 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2017/03/16 Bismuth-content-dependent polarized Raman spectrum of InPBi alloy 期刊论文 chinese physics b, 2016, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 66301-66306 Guan-Nan Wei; Qing-Hai Tan; Xing Dai; Qi Feng; Wen-Gang Luo; Yu Sheng; Kai Wang; Wen-Wu Pan; Li-Yao Zhang; Shu-Min Wang; Kai-You Wang 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/03/16 Ultrafast carrier dynamics in undoped and p-doped inas/gaas quantum dots characterized by pump-probe reflection measurements 期刊论文 Journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 8, 页码: 8 作者:  Liu, Hai-Ying;  Meng, Zi-Ming;  Dai, Qiao-Feng;  Wu, Li-Jun;  Guo, Qi 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Strain relaxation of GeSi alloy with low dislocation density grown on low-temperature Si buffers 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 201, 期号: 0, 页码: 530-533 Peng CS; Chen H; Zhao ZY; Li JH; Dai DY; Huang Q; Zhou JM; Zhang YH; Tung CH; Sheng TT; Wang J 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/08/12 dislocation  stacking faults  vacancy  strain relaxation  silicon  germanium  SI(100)  LAYERS  FILMS  THREADING DISLOCATION   Strain relaxation of GeSi alloy with low dislocation density grown on low-temperature Si buffers 会议论文 10th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-x), cannes, france, aug 31-sep 04, 1998 Peng CS; Chen H; Zhao ZY; Li JH; Dai DY; Huang Q; Zhou JM; Zhang YH; Tung CH; Sheng TT; Wang J 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/15 THREADING DISLOCATION  SI(100)  LAYERS  FILMS