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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：上海电子信息职业技术学院    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Fundamental Bounds on Power Reduction during Data-Retention in Standby SRAM 会议论文 new Orleans,LA 【会议录】, 2007 作者:  Ramchandran,K.;  Ishwar,P.;  Qin,H.;  Rabaey,J.;  Kumar,A. 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/14 CMOS  memory  circuits  Hamming  codes  SRAM  chips  algebraic  codes  error  correction  codes  low-power  electronics  CMOS  technology  Hamming  codes  SRAM  cell  algebraic  coding  data  retention  error-control  code  information  theory  leakage-power  reduction  standby  suppl