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科研机构
华南理工大学 [3]
内容类型
期刊论文 [2]
会议论文 [1]
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2014 [2]
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Investigation of oxidation process in self-terminating gate recess wet etching technique for AlGaN/GaN normally-off MOSFETs (EI收录)
期刊论文
Electronics Letters, 2014, 卷号: 50, 页码: 1980-1982
作者:
Liu, Jingqian[1]
;
Wang, Jinyan[1]
;
Xu, Zhe[1]
;
Jiang, Haisang[1]
;
Yang, Zhenchuan[1]
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提交时间:2019/04/25
Aluminum
Aluminum gallium nitride
Field effect transistors
Gallium nitride
MOS devices
MOSFET devices
Oxidation
Oxidation resistance
Potassium hydroxide
X ray photoelectron spectroscopy
Enhancement mode (E-mode) AlGaN/GaN MOSFET with 10-13 A/mm leakage current and 1012 ON/OFF current ratio (EI收录SCI收录)
期刊论文
IEEE Electron Device Letters, 2014, 卷号: 35, 页码: 1200-1202
作者:
Xu, Zhe[1]
;
Wang, Jinyan[1]
;
Cai, Yong[2]
;
Liu, Jingqian[1]
;
Jin, Chunyan[1]
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提交时间:2019/04/25
Annealing
Atomic layer deposition
Gallium nitride
High electron mobility transistors
Leakage currents
MOSFET devices
Threshold voltage
BASIC PROPERTIES OF ELECTROLYTE-OXIDE-SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH APPLICATIONS IN BIOCHEMICAL SENSING (CPCI-S收录)
会议论文
2014 12TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY (ICSICT)
作者:
Wang, Hao[1,2]
;
Gao, Jianguang[1,2]
;
Chen, Zhuojie[2]
;
Wu, Wengang[2]
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提交时间:2019/04/12
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