QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 An InGaAs/InP 40 GHz CML static frequency divider 期刊论文 Journal of Semiconductors., 2011, 卷号: 32, 期号: 3 Su, Yongbo; Jin, Zhi; Cheng, Wei; Ge, Ji; Wang, Xiantai; Chen, Gaopeng; Liu, Xinyu; Xu, AH; Qi, M 收藏  |  浏览/下载：169/0  |  提交时间：2012/08/22 High-Current Multi-Finger Mesa InGaAs/InP DHBTs 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 26, 期号: 12, 页码: 128502-128502 Jin, Z; Cheng, W; Su, YB; Liu, XY; Xu, AH; Qi, M 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/03/24 Composite-Collector InGaAs/InP Double Heterostructure Bipolar Transistors with Current-Gain Cutoff Frequency of 242 GHz 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 38502-38502 Cheng, W; Jin, Z; Su, YB; Liu, XY; Xu, AH; Qi, M 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/03/24 HIGH-BREAKDOWN-VOLTAGE  DHBT TECHNOLOGY  F(MAX)   HIGH CURRENT, MULTI-FINGER InGaAs/InP HETEROSTRUCTURE BIPOLAR TRANSISTOR WITH f(t) OF 176GHz 期刊论文 JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2009, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: 81-84 Jin, Z; Cheng, W; Liu, XY; Xu, AH; Qi, M 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2012/03/24 High-Current Multi-Finger Mesa InGaAs/InP DHBTs 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 26, 期号: 12, 页码: 128502 Jin, Z; Cheng, W; Su, YB; Liu, XY; Xu, AH; Qi, M 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/05/10 Physics  Multidisciplinary   High-speed InGaAs/InP double heterostructure bipolar transistor with high breakdown voltage 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 7, 页码: 2683-2685 Jin, Z; Su, YB; Cheng, W; Liu, XY; Xu, AH; Qi, M 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/03/24 Common-base multi-finger submicron InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with f(max) of 305 GHz 期刊论文 SOLID-STATE ELECTRONICS, 2008, 卷号: 52, 期号: 11, 页码: 1825-1828 Jin, Z; Su, Y; Cheng, W; Liu, X; Xu, A; Qi, M 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/03/24 High current multi-finger InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with the maximum oscillation frequency 253 GHz 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 3075-3078 Jin, Z; Su, YB; Cheng, W; Liu, XY; Xu, AH; Qi, M 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/03/24 High-breakdown-voltage submicron InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with f(t)=170 GHz and f(max)=253GHz 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 7, 页码: 2686-2689 Jin, Z; Su, YB; Cheng, W; Liu, XY; Xu, AH; Qi, M 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/24 AMPLIFIER  BASE   High-breakdown-voltage submicron InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with f(t)=170 GHz and f(max)=253GHz 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 7, 页码: 2686-2689 Jin, Z; Su, YB; Cheng, W; Liu, XY; Xu, AH; Qi, M 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/05/10 Physics  Multidisciplinary